MCP的主要特性和參數(shù)

l 孔徑(pore size)與孔間距(pitch)：通常MCP的孔徑在10um量級(jí)，而孔間距則比孔徑略大。孔間距越小，空間分辨率越高（通常MCP類(lèi)探測(cè)器的空間分辨率主要限制因素不是MCP孔間距）。孔間距和孔徑確定了MCP探測(cè)面的占空比。如10 - 12（孔徑10um，間距12um）的MCP占空比為63%。 一般而言小口徑(<40mm有效探測(cè)面）MCP的孔徑也較小，大口徑（>75mm有效探測(cè)面）MCP的孔徑也交大。

l 縱橫比(aspect ratio)：縱橫比是MCP的一個(gè)重要參數(shù)，它是指MCP微通道孔長(zhǎng)度和孔徑的比。通常有40:1, 60:1，也有達(dá)到80:1及以上的。縱橫比越大，增益越高，但時(shí)間響應(yīng)會(huì)受到一定的影響。

l 有效口徑：從10mm - 150mm，MCP可提供多種口徑。先鋒科技代理的英國(guó)Photek公司為目前提供商品化大口徑MCP探測(cè)器的*廠商。

l 增益：單級(jí)MCP一般可提供10³的增益；MCP級(jí)聯(lián)可獲得更高增益（雙10⁶，三級(jí)10^7-8。

l 傾角與級(jí)聯(lián)：為入射電子有效的轟擊MCP的側(cè)壁，微通道通常并與MCP端面法線同向，而是有一個(gè)5-15度范圍的夾角。將兩片MCP級(jí)聯(lián)時(shí)，它們的微通道通常成“V”字型級(jí)聯(lián)(chevron stack)排布，而三級(jí)聯(lián)的MCP通常采用“Z”字型級(jí)聯(lián)。

l 鍍層：MCP兩端面通常鍍金屬薄膜以導(dǎo)電；部分特殊的鍍膜（如金、碘化銫等）可以擴(kuò)展響應(yīng)的范圍。

l 高壓與阻抗：通常一級(jí)MCP需要的高壓為1kV左右，增益隨高壓是非線性增加的，所以MCP對(duì)高壓的穩(wěn)定性和低噪聲要求較高；單級(jí)MCP的直流阻抗通常是在百兆歐量級(jí)，電流（功率）消耗很小。

l 真空要求：MCP是電真空器件，要求處在超高真空環(huán)境（<10^-4Pa)環(huán)境中才能施加直流偏壓。